离子切割的加工原理与电子束加工基本类似,也是在真空条件下,将离子源产生的离子束经过加速后撞击在工件表面上,引起材料变形,破坏分离。由于离子带正电荷,其质量是电子的千万倍,因此离子束加工主要靠高速离子束的微观机械撞击动能,因此,离子束撞击工件将引起变形、分离、玻坏等机械作用,而不像电子束是通过热效应进行加工。
在真空室中将离子源产生的离子引出,并在电场中加速,形成几十电子伏到几十千电子伏能量的离子束。在离子束溅射沉积、离子束直接沉积或电子束蒸发沉积薄膜的同时,用上述离子束进行轰击(也可先镀膜后轰击)。利用沉积原子和轰击离子之间一系列的物理化学作用,可在常温下合成各种优质薄膜。其关键技术是离子源、靶室和工艺参数的控制。
离子源是产生所需离子的关键部件,它的种类与质量决定着制备膜层的性能和质量。离子源的种类不下二、三十种,用于离子束材料表面改性的也有十多种。
离子切割的主要加工特点如下:
1.离子束轰击工件时,其束流密度和能量可以准确控制;
2.离子束加工在真空中进行,污染少,特别适合加工高纯度的半导体材料及易氧化的金属材料;
3.离子束加工的宏观压力小,因此加工应力小,热变形小,加工表面质量高,适合于各种材料和低刚度零件的加工。